울산과학대Repository

Browse

Browse

Browse

Detailed Information

metadata downloads

연마에 따른 사파이어 웨이퍼 표면의 결정성 손상에 대한 X-선 회절특성

Title 
연마에 따른 사파이어 웨이퍼 표면의 결정성 손상에 대한 X-선 회절특성
Other Titles 
X-ray diffraction analysis on surface demage of sapphire wafer by chemical-mechanical polishing
Authors 
김근주
Issue Date 
2001
Journal 
연구논문집
Vol. 
Vol.28
Issue 
No. 1
Pages 
51-60
Abstract 
수평 Bridgman 방법으로 성장한 사파이어 인고트를 절단 연마한 후, 사파이어 결정기판의 표면을 우레탄 천위에서 실리카졸을 사용하여 폴리싱한 다음, 표면의 결정성을 X-선회절을 통하여 조사하였다. 이러한 화학-기계연마로부터 이중결정회절에 의한 반치폭은 200-400 arcsec을 갖으며, 표면이 기계적인 스트레스에 의해 결정성이 손상됨을 알 수 있다. 이러한 결정성의 손상은 결정인고트의 절편화 또는 양면 연삭 연마에 따른 잔류응력에 의한 손상으로 추정되며, 화학-기계적인 폴리싱공정을 수행한 후에 표면처리로 1,400 ℃로 4시간 열처리 및 산처리를 연속적으로 수행할 경우 결정성이 반치폭 8 arcsec 까지 적어져 향상됨을 확인하였다.
The chemical-mechanical polishing process was carried out for 2˝-dia. sapphire wafer grown by horizontal Bridgman method on the urethane lapping pad with the silica sol. The polished wafer shows the full-width at half-maximum of 200-400 arcsec in double-crystal X-ray diffraction, indicating that the slicing, grinding and lapping processes before the polishing process affected the crystalline structural property of the wafer surface by the mechanical residual stress. Through surface treatments, the crystalline quality was significantly enhanced with the reduced full-width at half maximum down to 8 arcsec.
URI 
http://repository.uc.ac.kr/handle/2014.oak/1158
ISSN 
1598-3390
Appears in Collections
15. 전기전자공학부 > 연구논문

Files in This Item:

File SizeFormat 
5672010206.pdf539.81 kBAdobe PDFView
qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.